|
- UID
- 6623
- 帖子
- 3639
- 积分
- 4923
- 威望
- 3903
- 金币
- 1383534
- 贡献
- 1015
- 职业
- 电气工程设计、安装 电子电器修理
- 注册时间
- 2004-10-31
- 最后登录
- 2014-7-19
|
1#
发表于 2009-12-10 16:21
| 只看该作者
规则1. 为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≧IGT ，直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足，并按可能遇到的最低温度考虑。
规则2. 要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须<IH, 并维持足够长的时间，使能回复至截止状态。在可能的最高运行温度下必须满足上述条件。
规则3. 设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（WT2-，+）。
规则4. 为减少杂波吸收，门极连线长度降至最低。返回线直接连至MT1（或阴极）。若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1 间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法，选用H 系列低灵敏度双向可控硅。
规则5. 若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起问题，在MT1 和MT2 间加入RC 缓冲电路。若高dICOM/dt 可能引起问题，加入一几mH 的电感和负载串联。另一种解决办法，采用Hi-Com 双向可控硅。
规则6. 假如双向可控硅的VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下列措施之一：
负载上串联电感量为几μH 的不饱和电感，以限制dIT/dt；
用MOV 跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路。
规则7. 选用好的门极触发电路，避开3+象限工况，可以最大限度提高双向可控硅的dIT/dt 承受能力。
规则8. 若双向可控硅的dIT/dt 有可能被超出，负载上最好串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通。
规则9. 器件固定到散热器时，避免让双向可控硅受到应力。固定，然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。
规则10. 为了长期可靠工作，应保证Rth j-a 足够低，维持Tj 不高于Tjmax ,其值相应于可能的最高环境温度。 |
-
2
评分次数
-
互相学习 共同提高
欢迎你和我交流工业控制和电子电器维修技术,也希望能成为你的朋友.
我的空间：
http://user.qzone.qq.com/68799905/infocenter
http://user.qzone.qq.com/343275798/infocenter |
|
发表于 2009-12-10 18:40
| 
